Inovasee
Arm dan Samsung baru-baru ini mengumumkan program kerjasama desain-teknologi (DTCO) untuk core CPU Cortex generasi terbaru dari Arm dan teknologi proses generasi terbaru dari Samsung yang menggunakan transistor gate-all-around (GAA) multi-bridge-channel field-effect (MBCFETs). Program ini bertujuan untuk menghasilkan versi khusus dari core Cortex-A dan Cortex-X yang dibuat dengan teknologi proses 2nm dari Samsung untuk berbagai aplikasi, termasuk smartphone, datacenter, infrastruktur, dan berbagai sistem-sistem khusus .
Core Cortex-X dirancang dan dibangun untuk satu hal saja: kinerja. Core Cortex-A lebih seimbang karena mencari optimalisasi kinerja dengan konsumsi daya. Versi khusus dari core Cortex-X dan Cortex-A untuk node proses 2nm dari Samsung Foundry kemungkinan akan debut pada node produksi 2nm generasi pertama dari Samsung yang disebut SF2 yang diharapkan diluncurkan tahun depan menggunakan transistor GAA. Transistor GAA menggunakan nanosheet horizontal yang ditempatkan secara vertikal untuk menutupi saluran dengan gerbang di keempat sisinya. Hal ini mengurangi kebocoran arus, meningkatkan arus penggerak, dan dapat membantu mengurangi konsumsi energi.
Dengan AI menjadi pasar kunci bagi Arm, perancang chip ini ingin menunjukkan bagaimana ia telah mengoptimalkan kinerja dalam Subsistem Komputasi Neoverse terbaru untuk beban kerja ini. Arm mengklaim bahwa core Neoverse V3 dan N3 mencapai peningkatan kinerja sebesar 84 persen dan 196 persen dibandingkan pendahulunya, masing-masing, untuk AI dan analitik data.
Kolaborasi antara pengembang IP (kekayaan intelektual), seperti Arm, dan foundry, seperti Samsung Foundry, sangat penting untuk memaksimalkan kinerja, mengurangi konsumsi daya, dan mengoptimalkan kepadatan transistor. Kerja sama dengan Arm akan memastikan bahwa mitra foundry Samsung akan memiliki akses ke core prosesor yang dapat memberikan apa yang mereka butuhkan.
GIPHY App Key not set. Please check settings